报告题目：垂直磁性多层膜中自旋相关输运性质及拓扑磁性的研究

　　报告时间：2019年12月18日（周三）14:00-17:00

　　报告地点：北辰校区材料楼C514学术报告厅

　　报告嘉宾：王守国 教授（北京科技大学材料科学与工程学院）

　　嘉宾简介：

　　王守国，男，安徽舒城人，北京科技大学材料科学与工程学院教授、博士生导师，国家杰出青年科学基金获得者，国家重点研发计划首席科学家。

　　1996年毕业于安徽大学，获理学学士学位；随后进入中科院固体物理研究所攻读博士学位，师从中国科技大学张裕恒院士（中科院固体物理所兼职教授），2001年毕业，获凝聚态物理博士学位。2001年至2007年，先后在新加坡国立大学、德国马克思-普朗克微结构物理研究所、和英国牛津大学从事研究工作。2007年底回国，加入中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室；2016年1月调入北京科技大学材料科学与工程学院。

　　主持的项目主要包括：国家杰出青年科学基金、国家重点研发计划、基金委重点项目、中科院仪器研制项目、科技部国家重大科学仪器设备开发专项子课题、科技部中国-以色列国际合作项目、基金委面上项目等。

　　目前担任中国电子学会应用磁学分会副主任委员兼秘书长；中国材料研究学会纳米材料与器件分会副秘书长；中国金属学会功能材料分会副秘书长；中国金属学会材料科学分会常务理事；中国材料研究学会青年工作委员会常务理事等。

　　报告简介：

　　以调控电子自旋本征属性为基础的自旋电子学，是自1988年发现巨磁电阻效应（GMR）以来三十年来凝聚态物理、材料科学和信息科学的研究热点之一，研究领域主要包括新材料探索、物性研究、以及器件设计与开发等。随着隧穿磁电阻效应（TMR）、自旋转移矩效应（STT）、自旋塞贝克效应（Spin Seebeck）、磁性斯格明子（Skyrmions）等新现象、新效应和新结构的发现，自旋电子学材料获得了更加广泛的应用（例如计算机硬盘读写头、磁性随机存储器）。但随着超高磁信息存储技术的发展，自旋电子学也面临着材料和物理等方面的诸多挑战。

　　报告人首先介绍自旋电子学最新进展以及所面临的挑战，主要包括超高存储密度、超高热稳定性以及如何突破二组态存储的技术瓶颈；随后重点介绍本课题组在Fe/MgO/Fe面内磁性隧道结、L10-FePt/MgO/FePt垂直磁性隧道结和[Co/Pt]n/MgO/[Co/Pt]n霍尔天平等体系的研究进展，包括霍尔天平材料中的磁性斯格明子研究；最后介绍利用我国科学家独创的深紫外激光（波长：177.3 纳米、能量：7.0 eV，简称DUV激光）作为激发源在PEEM系统（简称为DUV-PEEM系统）中开展高分辨磁成像的最新进展。