报告题目：局域还是自由?——载流子在InGaN量子结构中的复合方式

报 告 人：王子兰  博士

报告时间：2017年9月6日 9:30

报告地点：西教二407

报告人介绍：

王子兰博士本科毕业于南开大学物理学院，于2015年在香港大学物理系获得博士学位，其后在清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室从事博士后研究，目前就职于中国民航大学理学院。研究方向包括半导体光谱、缺陷物理以及光电子器件研发。在宽禁带极性半导体及其纳米结构的光学性质和复合机制上做出有影响力的研究工作，参与多项国家级基础和应用研究项目。发表SCI论文十余篇，包括以第一作者发表于ACS Photonics, J. Phys. Chem. C等国际顶级期刊文章。多次在国际会议上做口头报告和邀请报告，并于2015年获选国家人社部博士后国际交流计划引进项目资助。

报告摘要：

InGaN基材料在蓝光发光二极管（LED）以及固态照明的应用中取得巨大成功，并在其他光电子学领域拥有广泛的发展前景。无论是作为LED有源区的多量子阱结构，还是在制备单光子源和量子激光器具备优势的纳米线量子点结构，其发光机理仍然存在争议，特别是载流子复合过程中出现的捕获中心和局域态特性仍然有不明确之处。我们通过多种光谱的测量手段对InGaN/GaN量子阱和量子点样品进行系统分析，观察到载流子在量子结构中特有的发光规律，并结合电子能级系综理论对载流子的复合方式进行物理阐释，得到了InGaN量子阱中的局域中心分布函数以及纳米结构表面态对能带结构的调节机制。这些结果更新了对InGaN量子结构发光机理的认识，同时对提升器件性能有着重要的指导和借鉴意义。