报告题目：化学气相沉积技术发展单晶石墨烯

报告地点：williamhill中文欢迎您东院能源装备材料技术研究院二楼报告厅（201）

报告时间：2016年7月12日（周二）上午10:00~11:30

报告人： 于庆凯教授

报告摘要：

由于石墨烯单晶薄膜是电子器件等应用领域的理想材料，因此晶圆级单层石墨烯单晶的制备一直以来是研究热点。化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition）已经被证明了是一种低成本制备高质量石墨烯薄膜的技术。然而，现有的CVD技术只能制备出晶粒尺寸几百微米的多晶石墨烯薄膜。在本次报告中，于教授将讲述他在生长晶圆级石墨烯单晶领域所做的贡献，将证明通过在铜基体表面控制形核制备单晶石墨烯阵列的技术，同时开创了一种通过控制单核演变快速生长为大尺寸单层石墨烯单晶的新方法。该方法通过在优化成分的Cu–Ni合金表面局部控制碳前驱体，可在2.5小时内生长出尺寸达到1.5英寸的单层石墨烯单晶。局部供给可促使在整个基体表面形成单核，同时优化的合金也促进了等温析出机制，这大大加快了石墨烯单晶的生长速率。该技术为制备晶圆级单晶二维材料提供了新思路，具有重要的理论和应用意义。

报告人简介：

于庆凯教授现就职于美国德州州立大学工程系，分别在西安交通大学，中国原子能科学研究院，美国密西根大学，美国休斯敦大学获得学士（1996），硕士（1999/2001），博士学位（2006）。多年来从事材料的生长、表征和器件研究，为石墨烯生长领域的开拓者，最早提出并实践了在铜表面用化学气相沉积的方法生长石墨烯，在镍箔上生长石墨烯的工作也被广泛引用。先后在Nature Materials, Nature Nanotechnology, Nano Letters, Advanced Materials, ACS Nano, Applied Physics Letters等著名期刊发表学术文章50余篇，是20多个学术杂志的审稿人，拥有两项美国专利，并主持多项美国国家科学基金、能源部、国防部及工业界项目。